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Semi-conducteurs : l'IA propulse les revenus des fonderies à un niveau record au premier trimestre 2026
InfrastructureZDNET FR4j· 1 min de lecture

Semi-conducteurs : l'IA propulse les revenus des fonderies à un niveau record au premier trimestre 2026

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Les revenus des fonderies de semi-conducteurs ont atteint un niveau historique au premier trimestre 2026, portés par une demande en accélérateurs IA sans précédent. TSMC, le géant taïwanais qui fabrique les puces d'Apple, NVIDIA et AMD, a enregistré une hausse de ses revenus trimestriels dépassant 30 % sur un an, consolidant sa position de premier fondeur mondial. Samsung Foundry et d'autres acteurs de rang deux ont également bénéficié de cette dynamique, même si l'écart avec TSMC s'est creusé sur les noeuds les plus avancés (3 nm et 2 nm).

Cette progression traduit une ruée des géants du cloud -- Microsoft, Google, Amazon, Meta -- vers les puces dédiées à l'inférence et à l'entraînement de modèles d'IA. Chaque centre de données construit pour faire tourner des LLMs représente des commandes massives de GPU et d'ASIC propriétaires, tous gravés en fonderie. Pour l'industrie, c'est une rupture de cycle : les fonderies sortent de la logique saisonnière liée aux smartphones pour entrer dans un régime de commandes structurellement plus stables et plus rentables.

Ce record arrive après deux années difficiles marquées par la correction post-COVID et la chute de la demande grand public. La montée en puissance des ASIC maison chez les hyperscalers -- Google TPU, Amazon Trainium, Microsoft Maia -- diversifie les carnets de commandes au-delà de NVIDIA. La course aux capacités de production avancée s'intensifie : TSMC accélère ses usines en Arizona et au Japon, tandis que l'Europe et les Etats-Unis cherchent a reduire leur dependance a l'Asie via le CHIPS Act et son equivalent europeen.

Impact France/UE

L'Europe accélère son programme équivalent au CHIPS Act américain pour réduire sa dépendance aux fonderies asiatiques, mais reste très en retard sur TSMC pour la production de puces avancées à 3 nm et 2 nm.

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