Résumé IA
À la GTC 2026 de NVIDIA, Micron annonce plusieurs produits datacenter centrés sur l'IA : la HBM4 36 Go (12 couches) est en production de masse avec 2,8 To/s de bande passante, soit 2,3x la HBM3E, et des modules 48 Go (16 couches) sont en phase de qualification. Micron annonce également des modules mémoire SOCAMM2 conçus spécifiquement pour les systèmes NVIDIA Vera Rubin NVL72, rejoignant SK Hynix sur ce segment. Samsung en parallèle présente sa HBM4E (7e génération) atteignant 4 To/s, tandis que Micron prépare sa propre HBM4E 64 Go pour 2027.
Y’a autre chose que l’IA dans la vie ? HBM4 pour NVIDIA, SOCAMM2 aussi pour NVIDIA, SSD PCIe 6.0 pour les datacenters pour l’IA : vous voyez un schéma se dessiner dans les annonces de Micron ? Le fabricant fait en effet un « all-in » sur l’IA générative et ses besoins quasi exponentiels en GPU, mémoire et stockage. Micron, qui souffle le chaud et le froid sur les produits grand public face à la déferlante de l’IA générative, multiplie les annonces à l’occasion de la GTC 2026 (GPU Technology Conference) de NVIDIA. Elles concernent toutes des produits pour les datacenters, et plus particulièrement les futurs GPU Rubin de NVIDIA… ce qui ne devrait pas aider à sortir de la pénurie pour le grand public et l’explosion des prix que cela entraine. Bien d’autres annonces ont été faites, nous aurons l’occasion d’y revenir. L’explosion des prix de la mémoire, des SSD et même des HDD, sur 6 et 12 mois HBM4 36 Go en production de masse, HBM4 48 Go et HBM4E arrivent La première concerne la HBM4 ( finalisée il y a un an par le JEDEC ), la mémoire pour la nouvelle génération de puces Vera Rubin de NVIDIA : les livraisons en volume de modules de 36 Go (12H, soit 12 couches) ont débuté durant ce premier trimestre. Il faut dire que NVIDIA avance à grands pas puisque les « produits basés sur Rubin [le nouveau GPU de NVIDIA, ndlr] seront disponibles auprès de partenaires au second semestre 2026 ». NVIDIA dévoile ses CPU Vera avec 88 cœurs Arm et GPU Rubin avec 336 milliards de transistors Micron annonce des débits de 11 Gb/s par broche pour sa HBM4, soit une bande passante totale de plus de 2,8 To/s, « ce qui représente une bande passante 2,3x supérieure et une efficacité énergétique en hausse de 20 % par rapport à la HBM3E ». Dans le même temps, les premiers échantillons de modules de 48 Go (16 couches) sont livrés aux clients pour des tests et des qualifications. Samsung n’est pas en reste et annonce sa 7e génération de mémoire HBM, avec la présentation pour la première fois d’une puce physique de HBM4E à la GTC, comme le rapporte l’agence de presse Yonhap . Micron aussi a déjà annoncé son intention de se lancer dans la HBM4E, pour 2027 aux dernières nouvelles, avec des modules de 64 Go. SOCAMM2 chez Micron et SK hynix, là encore dans le sillage de NVIDIA Toujours selon nos confrères, avec la HBM4E de Samsung, les débits sont en hausse pour atteindre 16 Gb/s par broche, une bande passante totale de 4 To/s. Chez SK hynix, on se contente du minimum , en expliquant simplement que des modules « conçus pour les plateformes d’IA NVIDIA » seront présentés à la GTC, notamment de la HBM4 et de la mémoire SOCAMM2, qui est aussi au cœur des annonces de Micron. En effet, Micron se place aussi dans le sillage de NVIDIA pour ses modules mémoire SOCAMM2 (Small Outline Compression Attached Memory Module, des modules pour serveurs) qui sont « conçus pour les systèmes NVIDIA Vera Rubin NVL72 ». Par rapport aux modules classiques RDIMM (Registred DIMM), la « consommation d’énergie et l’encombrement sont réduits d’un tiers », affirme le fabricant. Micron annonce des modules jusqu’à 256 Go (à partir de 48 Go pour les plus petits), soit une capacité totale de 2 To de mémoire et une bande passante de 1,2 To/s sur un processeur avec huit emplacements. Les premiers échantillons de 256 Go sont actuellement expédiés . Micron 9650 : un SSD PCIe jusqu’à 28 Go/s Enfin, le fabricant affirme être la « première entreprise à produire en série un SSD pour les datacenters en PCIe Gen 6 » : le Micron 9650 . Il est présenté dans des formats E1.S et E3.S. Le fabricant revendique des débits en lecture séquentielle allant jusqu’à 28 Go/s et 14 Go/s en écriture, pour respectivement 5,5 millions et 900 000 IOPS en lecture et écriture aléatoire. Micron affirme que la production de masse a débuté et que son SSD a été « qualifié par des clients clés en OEM et dans les centres de données IA ». U.3, E1.S/L et E3.S/L : dans les serveurs, les SSD changent de format